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2026年以来，碳化硅产业动态密集。露笑科技近日宣布首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底的全流程工艺开发测试；今年1月中旬，美国SiC企业Wolfspeed也宣布制造出12英寸碳化硅晶圆。大尺寸产品接连问世，为这一第三代半导体材料的产业化注入了新的想象空间。

与此碳化硅能否在先进封装领域替代硅材料，成为业界关注的焦点。此前有传闻称，台积电CoWoS先进封装技术将用碳化硅替代硅作为中间层。对此，SICA深芯盟产业分析师卢兵表示："这个逻辑显著高估了技术现状和商业可行性，不宜将SiC卓越的导热性能直接等同于其作为复杂中介层的可行性，实际上二者是不同的概念。"

从成本端看，差距依然悬殊。据了解，硅12英寸衬底价格约800至1000元，而碳化硅6英寸衬底约2000元，8英寸约4000至5000元，12英寸则更高。工艺层面同样面临挑战——硅材料可用成熟的ICP刻蚀实现小线宽加工，碳化硅因硬度极高，必须采用高能量CCP刻蚀，且难以刻出精细形貌，设备端的小线宽工艺仍处于起步阶段。卢兵指出，短期内SiC更可能作为高性能散热衬底用于极端散热场景，而非直接替代硅中间层。

尽管在先进封装领域的应用尚需时日，碳化硅在传统优势领域的产业化进程却在加速。据Yole Group数据，2024年全球碳化硅功率器件市场规模为34亿美元，预计到2030年将接近100亿美元，年复合增长率约20.3%。根据CASA-China数据，国内2024年第三代半导体功率电子市场规模约176亿元，预计2029年有望超过460亿元。

产业格局方面，国内企业正在快速崛起。据富士经济数据，在2023年全球导电型碳化硅衬底市场中，天岳先进已跃居全球第二。在SiC器件的成本构成中，衬底约占47%，外延片约占23%，合计达70%左右，衬底环节仍是技术壁垒最高、价值量最大的核心所在。

行业短期仍面临阵痛。日本SiC厂商JS Foundry于2025年7月申请破产，Wolfspeed同年9月完成破产重整。SICA深芯盟产业分析师何俊材表示，业内普遍预期本轮材料端洗牌将在2026年末基本结束，届时行业集中度将大幅提升。正如卢兵所言："碳化硅是解决未来AI芯片散热难题的有力竞争者，但它的征途并非一蹴而就的'替代'，而更可能是一场考验材料科学、制造工艺与成本控制的'持久战'。"

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：观察君