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开车族都懂一件事，动力系统要强，还得散热够快，否则马力白搭

同样逻辑，如今的数据中心、电动汽车、雷达整机，都在拼散热和效率

拐点来了，一块直径30厘米的12英寸晶圆，用碳化硅长成，单片切出四倍芯片量，功耗直接砍去75%，这不是小修小补，而是底层规则改写

过去产业链被“光刻机障碍”卡住，制程一缩再缩，成本却居高不下

碳化硅芯片无需极紫外曝光，它靠材料带宽和耐压吃饭，1800℃也能稳如老狗

这就是第三代半导体的硬核开局，国产芯片突破不再靠别人松手，而是另起炉灶

一块6英寸SiC外延片要价约4000美元，良率不足60%

尺寸翻番后，同样工艺线能一次拼出4。4倍的器件，单位成本跌到千元人民币级

同样是1200V黑科技，国产12英寸晶圆每安时损耗低了30%，为整车增程50公里

数据中心是耗电怪兽，Google披露PUE做到1。1已算极限

一旦将整排CPU供电MOS换成碳化硅，服务器可在45℃环境裸跑，不用低温冷水机组

结果是年省电费一半，PUE压到0。9，空调厂哭晕在机房

高铁牵引也跟着变天，一列复兴号启动瞬间要拉5MW电流

碳化硅功率模块把开关损耗降到原来的三分之一，整车能耗立省两成多

这省下来的电量，可再跑140公里，等于车厢里多塞进一座充电宝

在战场上，相控阵雷达最怕热衰减

氮化镓功放坐在碳化硅衬底上，输出功率密度冲到25W每毫米

敌机反射的微弱信号被瞬时放大，战术反应提前5秒，空中博弈就此翻盘

无人机的掠海飞行同样考验电子骨骼

台风天盐雾湿热齐上，传统硅基IGBT掉链子，碳化硅却依旧满功率

更关键，抗辐射阈值提升一个数量级，高空核爆也难把它一次带走

市场端数据正在实锤

从全球1。3%渗透到5%，碳化硅只用了四年

TrendForce测算，再过48个月，这个数字将逼近20

国内厂商已拿下新增产能的55%，头部IDM被迫跟单追进，谁主沉浮，一目了然

光伏逆变器的始动电压本来是“化石级”控制点

改用1200V碳化硅MOS后，转换效率站上99%，逆变器体积缩减45%，重量减半

同样的集装箱，能多装12%的组件，运费平摊后，度电成本再降0。04元

汽车圈的连锁反应正在爆发

特斯拉Model 3后驱版换上全SiC主驱后桥，300公里路程省电6度

若按每度0。5元算，十万公里能省3000元，基本抵掉整套功率模块成本

手机快充也搭顺风车

65W GaN适配器出货量撑起百亿市场，但发热依旧是天花板

同规格SiC MOS温升低20摄氏度，外壳不再烤手，充电5分钟不再烫裤袋

国内五条12英寸生产线同步拉通，单月总产能逼近1。5万片

把这一堆晶圆切片、封装、下线，年出货可覆盖三百万辆新能源车

若分配给数据中心，足够支撑600万台GPU的电力转换需求

资本反应直接

过往SiC设备折旧周期8年，现在算账只需4年回本

金融租赁方提前抢位，设备商排产到明年底

芯片不是终点，生态才是大局

从衬底到外延到器件，国内第一次能同时握住三张王牌

硅时代的曲线进度条被按下暂停键，带宽战、高温战、耐辐射战接力开打

下一步抢跑点到底在哪

是1200V平台继续上探至3300V，还是模块集成度拼到Chiplet

一组数字摆在面前，12英寸产线良率68%，只要再抬10个百分点，平均成本将再降22%

届时谁还敢用老硅，你怎么看